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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC6033 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
| 中文描述： | 東芝晶體硅npn型外延式 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 211K |
| 代理商： | 2SC6033 |
2SC6033
2004-07-01
3
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Collector current I
C
(A)
V
BE
(sat)
– I
C
B
V
B
Base-emitter voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
C
C
5
10
0
0
2.5
2.0
0.5
1
2
3
4
1.0
3.0
40
2
10
30
IB = 1 mA
5
20
Common emitter
Ta=25
℃
Pulse test
0.001
10
Ta = 100°C
55
25
1
0.01
0.1
0.01
Common emitter
β
= 30
Pulse test
0.5
2.5
0
1.2
1.0
1.5
2.0
0.2
0.6
0.8
Ta = 100°C
55
25
0
0.4
1.0
Common emitter
VCE = 2 V
Pulse test
1.5
Collector current I
C
(A)
h
FE
– I
C
D
F
1000
10
0.001
Ta = 100°C
55
25
0.01
0.1
10
100
1
Collector current I
C
(A)
V
CE
(sat)
– I
C
C
V
C
10
0.001
1
Ta = 100°C
55
25
0.01
0.1
0.1
0.01
Common emitter
β
= 30
Pulse test
1
1
Common emitter
VCE = 2 V
Pulse test
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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