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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC6077 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 中文描述： | npn型硅外延型（厘進(jìn)程） |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 276K |
| 代理商： | 2SC6077 |
2SC6077
2006-10-20
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6077
○
Power Amplifier Applications
○
Power Switching Applications
Low collector saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.5 V (max)
（
I
C
= 1A
）
High-speed switching: t
stg
= 0.4
μ
s (typ)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
160
V
V
CEX
160
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
80
V
Emitter-base voltage
V
EBO
9
V
DC
I
C
3.0
A
Collector current
Pulse
I
CP
5.0
A
Base current
I
B
1.0
A
Collector power dissipation
P
C
1.8
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55
～
150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= 160 V, I
E
= 0
－
－
1.0
uA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= 9 V, I
C
= 0
－
－
1.0
uA
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR) CEO
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
80
－
－
V
h
FE (1)
V
CE
= 2 V, I
C
= 1 mA
150
－
－
h
FE (2)
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.5 A
180
－
450
DC current gain
h
FE (3)
V
CE
= 2 V, I
C
= 1 A
100
－
－
V
CE (sat) (1)
I
C
= 0.5 A, I
B
= 50 mA
－
－
0.3
V
Collector emitter saturation voltage
V
CE (sat) (2)
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
－
－
0.5
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
－
－
1.5
V
Transition frequency
f
T
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.5 A
－
150
－
MH
Z
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
= 10 V, I
E
= 0,f = 1MH
Z
－
14
－
pF
Rise time
t
r
－
0.05
－
Storage time
t
stg
－
0.4
－
Switching time
Fall time
t
f
I
B1
=
I
B2
=
100 mA
Duty cycle
≦
1%
－
0.15
－
us
Unit: mm
JEDEC
－
JEITA
－
TOSHIBA
2-10T1A
Weight:1.5g(typ)
1 : BASE
2 : COLLECTOR
（
HEAT SINK
）
3 : EMITTER
I
B
20
μ
s
V
CC
= 24 V
Output
2
Ω
I
B2
I
B1
Input
I
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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