參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC6078
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： npn型硅外延型（厘進(jìn)程）
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 278K
代理商： 2SC6078
2SC6078
2006-11-16
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6078
○
Power Amplifier Applications
○
Power Switching Applications
Low collector saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.5 V (max)
（
I
C
= 1A
）
High-speed switching: t
stg
= 0.4
μ
s (typ)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
160
V
V
CEX
160
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
80
V
Emitter-base voltage
V
EBO
7
V
DC
I
C
3
A
Collector current
Pulse
I
CP
5
A
Base current
I
B
1.0
A
Collector power dissipation
P
C
1.8
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55
～
150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
－
JEITA
－
TOSHIBA
2-10T1A
Weight:1.5g(typ)
1 : BASE
2 : COLLECTOR
（
HEAT SINK
）
3 : EMITTER
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PDF描述
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