參數(shù)資料
型號： 2SC6078
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： npn型硅外延型（厘進程）
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 278K
代理商： 2SC6078
2SC6078
2006-11-16
3
0.001
0.01
0.1
1
10
10
1
0.1
55
Ta
=
100°C
25
0.001
0.01
0.1
10
1000
10
100
1
1
VCE
=
2V
10
5
1
10
0.1
0.01
0.001
Ta
=
100°C
55
25
0.01
0.1
1
10
1000
1
0.001
10
100
0.01
0.1
1
10
Ta
=
100°C
55
25
0
0.5
1
1.5
2
Ta
=
100
℃
25
55
IB
=
5 mA
200
500
100
20
50
300
10
0
1
2
3
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
C
C
Collector current I
C
(A)
h
FE
– I
C
D
F
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
– I
C
C
V
C
(
(
Collector current I
C
(A)
f
T
– I
C
T
T
Collector current I
C
(A)
V
BE
(sat)
– I
C
B
V
B
(
Common emitter
VCE
=
2 V
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
IC/IB
=
10
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
Ta
=
25°C
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
VCE
=
2 V
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
IC/IB
=
10
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
Ta
=
25°C
Single nonrepetitive pulse
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PDF描述
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