參數(shù)資料
型號: 2SD0814A
英文描述: Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
中文描述: 小信號裝置-小信號晶體管-一般使用低頻Amplifires
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大小: 80K
代理商: 2SD0814A
2SD0814A
2
SJC00196CED
VCE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Cob VCB
0
160
40
120
80
0
240
200
160
120
80
40
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
012
10
8
26
4
0
120
100
80
60
40
20
Ta
= 25°C
1.8 mA
1.6 mA
1.4 mA
1.2 mA
1.0 mA
0.8 mA
0.6 mA
0.4 mA
0.2 mA
IB
= 2.0 mA
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
02.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
1
10
100
0
200
160
120
80
40
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
3
10
30
100
0
5
4
3
2
1
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1799 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驅(qū)動器應(yīng)用的NPN硅外延平面型達林頓晶體管)
2SD1800 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驅(qū)動器應(yīng)用的NPN硅外延平面型達林頓晶體管)
2SD1947A 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1953 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for 120V/1.5A Driver Applications(120V/1.5A驅(qū)動器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
2SD2165M 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD0814A(2SD814A) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號デバイス - 小信號トランジスタ - 汎用低周波増幅
2SD0814AQ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 185V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346
2SD0814AR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 185V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346
2SD0814ARL 功能描述:TRANS NPN 185VCEO 50MA MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR