參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1207T
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： 2SD1207T
2SB892 / 2SD1207
No.930-3/5
hFE -- IC
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
hFE -- IC
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
f T -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector Current, IC -- mA
f T -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
2SB892
VCE= --2V
ITR08652
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
10
--100
7
3
25
7
3
25
3
25
--1000
--10
2SD1207
VCE=2V
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
10
100
7
3
25
7
3
25
3
25
1000
10
ITR08653
2SB892
VCB= --10V
10
100
7
5
3
2
7
5
3
2
1000
--100
--10
25
37
2
5
32
3
7 --1000
2SD1207
VCB=10V
100
10
25
37
2
5
32
3
7 1000
ITR08654
10
100
7
5
3
2
7
5
3
2
1000
ITR08655
0
0.4
0.2
1.2
0.8
1.0
0.6
--2mA
--1mA
--3mA
--4mA
--5mA
--6mA
--7mA
--1200
--1000
--400
--800
--600
--200
0
--12
--8
--10
--6
--2
--4
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
1200
1000
400
800
600
200
0
--1200
--1000
--400
--800
--600
--200
0
1200
1000
400
800
600
200
0
012
810
6
24
IB=0mA
ITR08648
2SB892
2SD1207
IB=0mA
ITR08649
2SD1207
VCE=2V
ITR08651
0
--0.4
--1.2
--0.8
--1.0
--0.2
--0.6
2SB892
VCE= --2V
ITR08650
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1207-U 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB892T 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1207R 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1207S 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB892S 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1207T-AE 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1207U 功能描述:TRANS NPN BIPO 2A 50V MP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1208 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SD1209 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD1209(K) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
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