參數(shù)資料
型號： 2SD1207T
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： 2SD1207T
2SB892 / 2SD1207
No.930-4/5
PC -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
mW
A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- mA
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- mA
Cob -- VCB
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Cob -- VCB
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
0.1
2
5
3
2
5
3
1.0
2
5
3
10
0.01
1.0
5
37
5
37
2
5
37
2
10
100
ICP=4A
10ms
100ms
DC
operation
1ms
IC=2A
ITR08661
0
1200
600
400
1000
800
200
20
060
40
80
100
140
120
160
ITR08660
2SB892 / 2SD1207
(For PNP minus sign is omitted.)
--100
7
23
5
7
23
2
3
5
--1000
--10
100
7
23
5
7
23
2
3
5
1000
10
--100
--10
--1.0
--0.01
--0.1
5
2
5
2
5
2
5
2
ITR08658
2SB892
IC / IB=20
100
10
1.0
0.01
0.1
5
2
5
2
5
2
5
2
ITR08659
2SD1207
IC / IB=20
3
2
7
5
7
5
10
100
37
2
1.0
10
53
7
2
100
5
ITR08657
2SD1207
f=1MHz
3
2
7
5
7
5
10
100
37
2
--1.0
--10
53
7
2
--100
5
ITR08656
2SB892
f=1MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1207-U 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB892T 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1207R 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1207S 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB892S 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SD1207T-AE 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1207U 功能描述:TRANS NPN BIPO 2A 50V MP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1208 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SD1209 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD1209(K) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
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