型號(hào): | 2SD1662 |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) |
中文描述: | npn型三重?cái)U(kuò)散型(高電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用) |
文件頁(yè)數(shù): | 3/3頁(yè) |
文件大?。?/td> | 164K |
代理商: | 2SD1662 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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2SD1664FT100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN DRIVER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1664T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |