參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1758TL/P
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CPT3, SC-63, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2SD1758TL/P
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
Transistors
Rev.A
2/3
Electrical characteristics (Ta=25 C)
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
Min.
40
32
5
82
0.5
100
30
1
0.8
390
VIC
=50
μA
IC
=1mA
IE
=50
μA
VCB
=20V
VEB
=4V
IC/IB
=2A/0.2A
VCE
=5V, IE= 500mA, f=100MHz
VCE
=3V, IC=0.5A
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
V
μA
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
120
2SD1862
2SD1766,2SD1758,
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current.
Packaging specifications and hFE
2SD1766
Type
T100
1000
hFE
TL
2500
TV2
2500
2SD1758
2SD1862
PQR
QR
Package
Taping
Code
Basic ordering
unit (pieces)
hFE values are classified as follows :
Item
hFE
R
180 to 390
Q
120 to 270
P
82 to 180
Electrical characteristic curves
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
Fig.1
Grounded emitter propagation
characteristics
02.0
1000
2000
1
200
500
100
20
50
10
2
5
0.2
0.6
0.4
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
Ta
=25
°C
VCE
=3V
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
Ta
=25°C
IB
=0A
3.0mA
2.7mA
2.4mA
2.1mA
1.8mA
1.5mA
1.2mA
0.9mA
0.6mA
0.3mA
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.3
DC current gain vs. collector
current
5
500
10
20
50 100 200
500 1A 2A
200
100
50
20
Ta
=25°C
VCE
=3V
1V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1766T100/Q 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1766T100/R 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1766T100P 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1781KT146/PQ 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1781KT146/P 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1758TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1758TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1759TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1760FRATLR 制造商:ROHM SEMICONDUCTOR 功能描述:HIGH REL TRANS GP BJT NPN 50V 3A TR
2SD1760TL/Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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