參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1799
廠(chǎng)商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型達(dá)林頓晶體管)
中文描述： 瑞展硅晶體管（驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的npn型硅外延平面型達(dá)林頓晶體管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用）
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 78K
代理商： 2SD1799
2SD1799
No.2110–3/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1800 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型達(dá)林頓晶體管)
2SD1947A 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1953 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for 120V/1.5A Driver Applications(120V/1.5A驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
2SD2165M 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165L 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1799-TL-E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SD1801S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1801S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1801T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1801T-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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