參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1938F
廠商： Panasonic Corporation
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 硅型瑞展
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： 2SD1938F
Transistors
2SD1938(F)
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: August 2004
SJC00313AED
For low-voltage output amplification
For muting
For DC-DC converter
■
Features
Low ON resistance R
on
High forward current transfer ratio h
FE
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
25
V
Collector current
I
C
300
mA
Peak collector current
I
CP
P
C
500
mA
Collector power dissipation
200
mW
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
4 mA
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
EB
=
25 V, I
C
=
0
20
V
Base-emitter voltage
V
BE
I
CBO
0.6
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
μ
A
μ
A
Emitter-base cutoff current (Collector open)
Forward current transfer ratio
*1
I
EBO
0.1
h
FE
V
CE
= 2 V, I
C
= 4 mA
I
C
=
30 mA, I
B
=
3 mA
V
CB
=
6 V, I
E
=
4 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
500
2
500
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.1
V
Transition frequency
f
T
C
ob
80
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
ON resistance
*2
7
pF
R
on
1.0
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*1: Rank classification
*2: R
on
Measuremet circuit
Rank
S
T
No rank
h
FE
500 to 1
500
800 to 2
500
500 to 2
500
V
V
1 k
R
on
=
V
B
×
1
000 (
)
A
V
B
f
=
1 kHz
V
=
0.3 V
V
B
I
B
=
1 mA
V
A
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-59
JEDEC: SOT-346
Mini3-G1 Package
Marking symbol: 3W
0.40
+0.10
(
1
+
–
2
+
–
2
1
3
(0.95) (0.95)
1.9
±
0.1
2.90
+0.20
0.16
+0.10
0
±
0
5
10
0
1
+
–
1
+
–
Product of no-rank classification is not marked.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1947A NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, LAMP, SOLENOID DRIVE APPLICATIONS)
2SD1958 TV Horizontal Deflection Output, High-Power Switching Applications
2SD1964 Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
2SD1975 Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)
2SD1975A Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1938FSL 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1938FTL 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1943 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220AB 80V 3A 40W BCE
2SD1947A(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, NPN, Power, D
2SD1949Q 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*