參數(shù)資料
型號： 2SD1938F
廠商： Panasonic Corporation
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 硅型瑞展
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： 2SD1938F
2SD1938(F)
2
SJC00313AED
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
V
BE
0
20
40
60
80 100 120
160
140
0
250
200
150
100
50
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
2
4
6
8
10
12
C
C
Collector-emitter voltage
V
CE
(V)
IB
= 10
μ
A
8
μ
A
6
μ
A
4
μ
A
2
μ
A
T
a
=
25
°
C
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.2
Base-emitter voltage V
BE
(V)
0.6
0.4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
C
C
V
CE
=
2 V
T
a
=
85
°
C
25
°
C
25
°
C
1
10
100
0.01
0.001
0.1
C
C
Collector current I
C
(mA)
T
a
=
85
°
C
25
°
C
25
°
C
I
C
/ I
B
=
10
1
0.1
10
100
1000
0
400
600
800
1
000
1
200
1
400
1
600
200
F
F
Collector current I
C
(mA)
T
a
=
85
°
C
25
°
C
25
°
C
V
CE
=
2 V
5
10
15
20
25
30
35
40
0
100
10
1
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
o
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SD1938FSL 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SD1947A(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, NPN, Power, D
2SD1949Q 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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