參數(shù)資料
型號： 2SD1947A
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-10R1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： 2SD1947A
2SD1947A
2004-07-26
3
Collector current IC (A)
VCE – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rv
olt
a
ge
V
CE
(V
)
Collector current IC (A)
VCE – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rv
olt
a
ge
V
CE
(V
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
VCE – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rv
olt
a
ge
V
CE
(V
)
Collector current IC (A)
hFE – IC
D
C
c
urr
en
tg
ai
n
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
16
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
a
tu
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(
sa
t)
(
V
)
0
Common emitter
Ta = 100°C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
4
6
8
10
12
14
16
100
IB = 5 mA
10
20
40
60 80
150
200
300
0
IB = 2 mA
Common emitter
Tc = 25°C
4
10
4
8
12
4
8
12
16
20
15
20
30
40
50
60
80
6
0
0.1
Common emitter
VCE = 1 V
30
50
100
300
500
1000
3000
0.3 0.5
1
3
5
10
30
55
25
Tc = 100°C
Common emitter
IC/IB = 100
0.1
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
0.3 0.5
1
3
5
10
30
55
25
Tc = 100°C
Common emitter
Tc = 25°C
0
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
4
6
8
10
12
14
16
IB = 5 mA
10
20
40
60
80
150
200
300
Common emitter
Tc = 55°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
4
6
8
10
12
14
16
100
IB = 5 mA
10
20
40
60 80
150
200
300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1953 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for 120V/1.5A Driver Applications(120V/1.5A驅(qū)動器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
2SD2165M 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165L 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165K 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1947A(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, NPN, Power, D
2SD1949Q 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1949T106 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1949T106Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1949T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*