參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1947A
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-10R1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 146K
代理商： 2SD1947A
2SD1947A
2004-07-26
4
Safe Operating Area
Collector-emitter voltage VCE (V)
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Ba
se-
emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
oltage
V
BE
(
sa
t)
(
V
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
0
4
8
12
16
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Common emitter
VCE = 1 V
55
25
Tc = 100°C
0.1
Common emitter
IC/IB = 100
0.3 0.5
1
3
5
10
30
0.3
0.5
1
3
5
10
100
25
Tc = 55°C
1
3
5
10
30
50
100
300
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
30
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
10 ms*
100 s*
IC max (pulsed)*
IC max
(continuous)
100 ms*
1 ms*
DC operation
Tc = 25°C
VCEO max
Pulse width tw (s)
rth – tw
T
ran
si
en
tth
er
m
al
re
si
st
an
ce
r th
(°
C/
W
)
0.001
1000
10
100
0.01
0.1
30
0.3
3
1
100
10
1
0.1
Curves should be applied in thermal limited area.
(single nonrepetitive pulse)
(1) Infinite heat sink (Tc = 25°C)
(2) No heat sink
(1)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1953 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for 120V/1.5A Driver Applications(120V/1.5A驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
2SD2165M 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165L 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165K 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SD1949T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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