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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1996T |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MT-1-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 242K |
| 代理商： | 2SD1996T |
2SD1996
2
SJC00239BED
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Cob VCB
Ron IB
0
160
40
120
80
0
800
600
200
400
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
06
5
4
13
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta
= 25°C
2.5 mA
2.0 mA
1.5 mA
0.5 mA
1.0 mA
3.0 mA
3.5 mA
IB
= 4.0 mA
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 25
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB = 10
Ta = -25 C
25 C
75 C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0
1 200
1 000
800
600
400
200
VCE
= 2 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
1
10
100
0
400
300
100
200
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
0
24
20
16
12
8
4
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1 000
f
= 1 kHz
V
= 0.3 V
V
VB
IB
= 1 mA
VA
Ron measurement circuit
Base current I
B (mA)
ON
resistance
R
on
(
)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1999 | 4 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2000P | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2012 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2031BRR | 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD2030CRR | 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD200 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:XISTOR |
| 2SD2000 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 80V 4A 35W BCE |
| 2SD20000P | 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 4A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2000O | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-127VAR |
| 2SD2000P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-127VAR |
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