參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2134
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 1 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-3-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 81K
代理商： 2SD2134
1
Power Transistors
2SB1414
Silicon PNP epitaxial planar type
Publication date: February 2002
SJD00070BED
For low-frequency driver/high power amplification
Complementary to 2SD2134
■
Features
Excellent current I
C
characteristics of forward current transfer ratio
h
FE
vs. collector
High transition frequency f
T
Allowing automatic insertion with radial taping
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT-3-A1 Package
7.5
±
0.2
0.65
±
0.1
2
±
0
0.7
±
0.1
1.15
±
0.2
2.5
±
0.2
2.5
±
0.2
0.85
±
0.1
1.0
±
0.1
0.7
±
0.1
1.15
±
0.2
0.5
±
0.1
1
0.8 C
2
3
0.4
±
0.1
4.5
±
0.2
0.8 C
0.8 C
3
±
0
1
±
1
1
±
0
2
±
0
9
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
150
150
5
1
1.5
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
V
Collector current
A
Peak collector current
I
CP
A
Collector power dissipation
P
C
T
j
T
stg
1.5
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
=
100
μ
A, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
150 mA
V
CE
=
5 V, I
C
=
500 mA
I
C
=
500 mA, I
B
=
50 mA
I
C
=
500 mA, I
B
=
50 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
150
5
V
Emiter-base voltage (Collector open)
Forward current transfer ratio
*1
V
EBO
h
FE1
*2
h
FE2
V
90
330
50
Collector-emitter saturation voltage
*1
Base-emitter saturation voltage
*1
V
CE(sat)
0.5
1.0
2.0
2.0
V
V
BE(sat)
f
T
C
ob
V
Transition frequency
200
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
30
pF
Rank
Q
R
S
h
FE1
90 to 155
130 to 220
185 to 330
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1416 Silicon PNP epitaxial planar type
2SD2136 Silicon PNP epitaxial planar type
2SB1417 Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
2SB1417A Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
2SB1418 Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
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參數(shù)描述
2SD21340RA 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 1A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2134Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR
2SD2134R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR
2SD2134S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR
2SD2135 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR
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