參數(shù)資料
型號： 2SD2185
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
中文描述： 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 37K
代理商： 2SD2185
1
Transistor
2SD2185
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency output amplification
Complementary to 2SB1440
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the maga-
zine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–62
Mini Power Type Package
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
2
±
0
2
±
0
0
1
+
–
4
+
–
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
45
°
marking
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
50
50
5
4
3
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= 20V, I
E
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 200mA
V
CE
= 2V, I
C
= 1.0A
I
C
= 1A, I
B
= 50mA
I
C
= 1A, I
B
= 50mA
V
CB
= 10V, I
E
= –50mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHZ
min
50
50
5
120
80
typ
0.15
0.82
110
23
max
0.1
340
0.3
1.2
35
Unit
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
pF
Marking symbol :
1H
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
R
S
h
FE1
120 ~ 240
170 ~ 340
Marking Symbol
1HR
1HS
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
*2
Pulse measurement
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PDF描述
2SD2196 Darlington Transistor(15A NPN)
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD21850RL 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO 3A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SD2185R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89
2SD2185S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89
2SD219 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Transistor
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