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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ162 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 2SJ162 |
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
5
–10
–0.5
–10
Drain Current ID (A)
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(sat)
(V)
–5
–0.5
–0.2
–1.0
–2
–0.1
–1.0
–2
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Drain Current
VGD = 0
–0.2
–0.1
–5
75
25
T C
= –25°C
–10
–4
–10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
–8
–4
–2
–6
–8
0
–6
Drain to Source Voltage vs.
Gate to Source Voltage
ID = –1 A
–2
–5
1,000
410
Gate to Source Voltage VGS (V)
Input
Capacitance
Ciss
(pF)
500
26
8
100
Input Capacitance vs.
Gate to Source Voltage
VDS = –10 V
f = 1 MHz
200
0
3.0
30 k
Frequency f (Hz)
Forward
Transfer
Admittance
yfs
(S)
1.0
10 k
0.3
Forward Transfer Admittance
vs. Frequency
0.1
0.03
0.01
0.003
100 k 300 k
1 M
3 M
10 M
TC = 25°C
VDS = –10 V
ID = –2 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ181(L) | |
| 2SJ181(S) | |
| 2SJ319(L) | |
| 2SJ319(S) | |
| 2SJ351 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ162-E | 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SJ163 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Switching |
| 2SJ164 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching |
| 2SJ165 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SJ166 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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