參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ182S
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述： 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 55K
代理商： 2SJ182S
2SJ182(L), 2SJ182(S)
6
500
–0.5
–10
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
200
20
–0.2
–1
–5
5
–0.1
50
100
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
di/dt = 50 A/
μ
s, V
GS
= 0
Ta = 25°C
Pulse Test
10
–2
–20
–50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
1,000
–10
–30
–40
0
100
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
10
Crss
Coss
Ciss
V
= 0
f = 1 MHz
0
16
40
Gate Charge Qg (nc)
D
D
Dynamic Input Characteristics
–20
–80
8
0
24
32
–100
–60
–40
V
DS
–10 V
–50 V
0
–4
–16
–20
–12
–8
V
DD
= –10 V
–25 V
I
D
= –3 A
–25 V
V
DD
= –50 V
V
GS
G
G
500
–10
Drain Current I
D
(A)
S200
–0.2
–0.5
–1
–5
5
–0.1
50
100
10
–2
Switching Characteristics
t
f
t
d (on)
t
r
V
= –10 V
PW = 2
μ
s, duty < 1%
t
d (off)
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PDF描述
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