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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ280 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | 2SJ280 |
2SJ280(L), 2SJ280(S)
5
Drain-Source Saturation Voltage
vs. Gate-Source Voltage
0
–2
–4
–6
–8
–10
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Gate to Source Voltage V (V)
D
V
D
Pulse Test
–20 A
–10 A
I = –30 A
D
Static Drain-Source on State
Resistance vs. Drain Current
–2
–5
Drain Current I (A)
–10 –20
–50 –100 –200
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
S
R
D
–10 V
V = –4 V
Static Drain-Source on State
Resistance vs. Temperature
Case Temperature T (°C)
S
R
D
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
–40
0
40
80
120
160
Pulse test
–10 V
I = –30 A
D
V = –4 V
I = –30 A
–10 A, –20 A
–10 A, –20 A
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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