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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ280 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | 2SJ280 |
2SJ280(L), 2SJ280(S)
6
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
100
50
20
10
5
2
1
–0.5
–1
–2
–5
–20
–50
–10
Drain Current I (A)
F
|
f
Tc = 25°C
–25°C
Pulse Test
V = –10 V
DS
75°C
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
Reverse Drain Current I (A)
R
r
–1
–2
–5
–10 –20
–50 –100
5
10
20
50
100
200
500
di/dt = 50 A/ s, V = 0
Ta = 25°C
Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
10000
1000
100
100
–10
–20
–30
–40
–50
Drain to Source Voltage V (V)
C
Ciss
Coss
Crss
V = 0,
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SJ280S | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ281 | 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:Very High-Speed Switching Applications |
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