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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ280 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | 2SJ280 |
2SJ280(L), 2SJ280(S)
8
V
Monitor
I
Monitor
V
DD
Rg
Vin
–15 V
50
D.U.T
V
DD
0
I
D
I
AP
V
DS
V
(BR)DSS
V
DSS
– V
DD
V
DSS
E =
2
1
L I
2
L
Avalanche Test Circuit and Waveform
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
D = 1
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot Puse
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 1.67°C/W, T
C
= 25°C
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vin
50
D.U.T
Vout Monitor
R
L
V
30 V
=
Waveforms
Vin
Vout
t
d (on)
10%
t
r
t
f
10%
90%
90%
10%
90%
t
d (off)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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