參數(shù)資料
型號： 2SJ352
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： 2SJ352
2SJ351, 2SJ352
2
Outline
D
G
S
1
2
3
TO-3P
1. Gate
2. Source
(Flange)
3. Drain
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SJ351
V
DSX
–180
V
2SJ352
–200
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
–8
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
–8
A
Channel dissipation
Pch*
1
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C
相關PDF資料
PDF描述
2SJ387(L)
2SJ387(S)
2SJ479(L)
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2SJ505(L)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ352-E 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ353 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ355 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING
2SJ355-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA
2SJ355-T1(AZ) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V }2A 0.35 SOT89 Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
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