參數(shù)資料
型號： 2SJ352
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SJ352
2SJ351, 2SJ352
5
–2
–4
–6
–8
–10
–2
–4
–6
–8
–10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Transfer Characteristics
0
VDS = –10 V
T
C
=
–25°C
25
75
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Transfer Characteristics
0
VDS = –10 V
T C
=
–25°C 25
75
10 k
100 k
1 M
1 m
10 m
100 m
1.0
5
Frequency f (Hz)
Forward
Transfer
Admittance
yfs
(S)
2 k
TC = 25°C
VDS = –10 V
ID = –2 A
Forward Transfer Admittance vs. Frequency
10 M 20 M
0.5 m
–0.2
–0.5
–1.0
–2
–5
10
50
100
200
500
Drain Current ID (A)
Switching
Time
t
on
,t
off
(ns)
Switching Time vs. Drain Current
–0.1
ton
5
–10
20
toff
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ387(L)
2SJ387(S)
2SJ479(L)
2SJ479(S)
2SJ505(L)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ352-E 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ353 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ355 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING
2SJ355-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA
2SJ355-T1(AZ) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V }2A 0.35 SOT89 Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
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