參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ352
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SJ352
2SJ351, 2SJ352
4
150
100
50
Channel
Dissipation
Pch
(W)
50
100
150
Case Temperature
Tc (°C)
0
Power vs. Temperature Derating
–0.2
–5
–10
–20
–50
–100 –200
–500
–0.5
–1.0
–2
–5
–10
–20
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Maximum Safe Operation Area
Ta = 25°C
IDmax (Continuous)
PW
=
10
ms
1
Shot
PW
=
100
ms
1
Shot
PW
=
1
s
1
Shot
DC
Operation
(T
C =
25°C)
2SJ351
2SJ352
–10
–20
–30
–40
–50
–2
–4
–6
–8
–10
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Output Characteristics
TC = 25°C
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
–9
Pch
=
125
W
V
GS
=
–10
V
0
–2
–4
–6
–8
–10
–2
–4
–6
–8
–10
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Output Characteristics
TC = 25°C
0
–1
VGS = –10 V
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–9
–8
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SJ352-E 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ353 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ355 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING
2SJ355-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA
2SJ355-T1(AZ) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V }2A 0.35 SOT89 Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
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