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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1169 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2SK1169 |
2SK1169, 2SK1170
4
Power vs. Temperature Derating
150
100
50
0
C
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
Maximum Safe Operation Area
100
30
10
3
0.1
1
3
10
30
100
300
1,000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
1.0
0.3
2SK1170
2SK1169
Operation in this area
DS (on)
1ms
10
μ
s
100
s
Ta = 25°C
DCOpeaion(T
C
=25C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature T
C
(°C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
V
= 10 V
Pulse Test
S
R
D
)
10 A
I
D
= 20 A
5 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
0.5
0.2
0.5
1.0
5
10
20
Drain Current I
D
(A)
1.0
2
2
75°C
F
y
T
C
= 25°C
V
= 20 V
Pulse Test
–25°C
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
di/dt = 100 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
= 0
Pulse Test
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
5,000
2,000
500
200
100
50
1,000
0.5
1.0
2
5
10
20
50
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
100
0
10
20
30
40
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
Coss
Ciss
Crss
10
V
= 0
f = 1 MHz
1,000
10,000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1170 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1178 | MOSFET |
| 2SK1179 | MOSFET |
| 2SK1180 | MOSFET |
| 2SK1181 | MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1169-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK117 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK117_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Junction Type Low Noise Audio Amplifier Applications |
| 2SK1170 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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