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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1169 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | 2SK1169 |
2SK1169, 2SK1170
5
Dynamic Input Characteristics
500
400
300
200
100
0
40
80
120
160
200
Gate Charge Qg (nc)
D
D
20
16
12
8
4
0
G
G
V
DD
= 100 V
V
= 400 V
250 V
100 V
250 V
V
DS
I
D
= 20 A
400 V
V
GS
Switching Characteristics
500
100
50
20
10
5
200
S
0.5
1.0
2
5
10
20
50
Drain Current I
D
(A)
V
= 10 V V
= 30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1%
t
d (off)
t
r
t
f
t
d (on)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
Pulse Test
5 V, 10 V
V
GS
= 0, –10 V
3
1.0
0.1
0.03
0.01
0.3
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 1.04°C/W,T
C
= 25°C
P
DM
PW
T
D =
T
PW
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
γ
S
T
C
= 25°C
0.01
0.05
0.02
0.2
0.1
0.5
1Shot Pulse
D = 1
Vin Monitor
Vout Monitor
R
L
50
Vin = 10 V
D.U.T
V
= 30 V
.
Switching Time Test Circuit
Vin
10 %
90 %
90 %
90 %
tr
10 %
td (on)
td (off)
tf
Vout
10 %
Wavewforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1170 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1178 | MOSFET |
| 2SK1179 | MOSFET |
| 2SK1180 | MOSFET |
| 2SK1181 | MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1169-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK117 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK117_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Junction Type Low Noise Audio Amplifier Applications |
| 2SK1170 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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