參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2903
廠商： FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
英文描述： N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
中文描述： N溝道硅片功率場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 118K
代理商： 2SK2903
3
0
20
40
60
80
100
120
140
0
5
10
15
20
25
12V
30V
Vcc=48V
Typical Gate Charge Characteristics
VGS=f(Qg):ID=80A,Tch=25°C
0
10
20
30
40
50
V
V
Qg [nC]
VGS
VDS
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
1
10
2
10
3
10
4
t
ID [A]
td(off)
tf
tr
td(on)
Typical Switching Characteristics vs. ID
t=f(ID):Vcc=30V,VGS=10V,RG=10
2SK2903-01MR
FUJI POWER MOSFET
-50
0
50
100
150
0
5
10
15
20
25
30
max.
typ.
Drain-source on-state resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=40A,VGS=10V
R
]
Tch [°C]
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
Tch [°C]
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=10mA
min.
typ.
max.
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100p
1n
10n
100n
Typical capacitances
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
C
VDS [V]
Ciss
Coss
Crss
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
IF=f(VSD):80μs pulse test,Tch=25°C
10V
5V
VGS=0V
I
VSD [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2903-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
2SK2904-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
2SK2905-01R N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
2SK2906-01 N-channel MOS-FET
2SK2907-01R N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2903-01MRSC-P 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK2904-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK2906-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK290701R 制造商:FUJI 功能描述:Pb Free
2SK2907-01R 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 5.7 Milliohms, ID +/-100A, TO-3PF, PD 125W, VF 1
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*