參數(shù)資料
型號: 2SK2903
廠商: FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
英文描述: N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
中文描述: N溝道硅片功率場效應(yīng)管
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 118K
代理商: 2SK2903
4
2SK2903-01MR
FUJI POWER MOSFET
0
50
100
150
0
10
20
30
40
50
60
Maximum Avalanche Current vs. starting Tch
I(AV)=f(starting Tch)
I
Starting Tch [°C]
0
50
100
150
0
200
400
600
800
Maximum Avalanche energy vs. starting Tch
Eas=f(starting Tch):Vcc=24V, I(AV)<=50A
E
Starting Tch [°C]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.5
0.2
0.02
0.05
0.1
0.01
0
Transient thermal impedande
Zthch=f(t) parameter:D=t/T
Z
t [s]
t
T
D=
t
T
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PDF描述
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2SK2907-01R 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 5.7 Milliohms, ID +/-100A, TO-3PF, PD 125W, VF 1