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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2905-01R |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
| 中文描述： | 70 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 2SK2905-01R |
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
I
VDS [V]
Safe operating area
ID=f(VDS):D=0.01,Tc=25°C
t=
1μs
10μs
1ms
10ms
100ms
100μs
D.C.
Characteristics
2SK2905-01R
FUJI POWER MOSFET
0
50
100
150
0
25
50
75
100
125
Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [°C]
t
T
D=
t
T
0
1
2
3
4
5
0
50
100
150
200
6.0V
5.5V
4.0V
3.5V
4.5V
10V
8V
5.0V
VGS=20V
Typical output characteristics
ID=f(VDS):80μs pulse test,Tc=25°C
I
VDS [V]
0
2
4
6
8
10
0.1
1
10
100
Typical transfer characteristics
ID=f(VGS):80μs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
I
VGS [V]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
Typical forward transconductance
gfs=f(ID):80μs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
g
ID [A]
0
50
100
150
200
0
10
20
30
40
50
6V
R
]
ID [A]
Typical Drain-Source on-State Resistance
RDS(on)=f(ID):80μs pulse test,Tch=25°C
8V
10V
20V
4.5V
5.0V
4.0V
VGS=
3.5V
5.5V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2906-01 | N-channel MOS-FET |
| 2SK2907-01R | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
| 2SK2907 | N-channel MOS-FET |
| 2SK2907-01 | N-channel MOS-FET |
| 2SK2908-01L | N-channel MOS-FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2906-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK290701R | 制造商:FUJI 功能描述:Pb Free |
| 2SK2907-01R | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 5.7 Milliohms, ID +/-100A, TO-3PF, PD 125W, VF 1 |
| 2SK2907-01RSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2912L | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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