參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK313
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直| 12A條（丁）|至3
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： 2SK313
2SK3134(L),2SK3134(S)
6
0.1
0.3
1
3
10
30
100
010
20
30
40
50
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4
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160
240
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0
1000
100
200
20
10
0.1 0.2
2
10
100
1000
500
100
200
20
50
10
di / dt = 50 A /
s
V
= 0, Ta = 25
°C
GS
300
20
1
Reverse Drain Current
I
(A)
DR
Reverse
Recovery
Time
trr
(ns)
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
Capacitance
C
(pF)
Drain to Source Voltage V
(V)
DS
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge
Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
(V)
DS
Gate
to
Source
Voltage
V
(V)
GS
Dynamic Input Characteristics
Drain Current
I
(A)
D
Switching
Time
t
(ns)
Switching Characteristics
100
V
= 0
f = 1 MHz
GS
Ciss
Coss
Crss
I
= 75 A
D
VGS
VDS
V
= 20 V
10 V
5 V
DD
0.5
5
V
= 20 V
10 V
5 V
DD
500
50
V
= 10 V, V
= 10 V
PW = 5
s, duty < 1 %
GS
DD
r
t
d(on)
t
d(off)
t
t f
30000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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