參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3306
元件分類： JFETs
英文描述： 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大小： 69K
代理商： 2SK3306
Data Sheet D18760EJ2V0DS
5
2SK4145
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
DS
(on)
-D
rain
to
S
ou
rce
On-s
tate
Resis
tance
-m
Ω
0
4
8
12
16
20
-75
-25
25
75
125
175
VGS = 10 V
ID = 42 A
Pulsed
Tch - Channel Temperature -
°C
C
is
s,
C
os
s,
C
rs
s-
Capac
itanc
e
-p
F
100
1000
10000
0.1
1
10
100
Ciss
Coss
Crss
VGS = 0 V
f = 1 MHz
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d(on)
,t
r,t
d(
of
f),
t
f-
S
w
itching
T
ime
-ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
VDD = 30 V
VGS = 10 V
RG = 0
Ω
td(off)
td(on)
tr
tf
ID - Drain Current - A
V
DS
-
Dr
ain
to
S
ou
rce
Voltag
e-
V
0
10
20
30
40
50
60
0
10203040 50607080 90
0
2
4
6
8
10
12
VDS
ID = 84 A
VGS
VDD = 48 V
30 V
12 V
QG - Gate Charge - nC
V
GS
-
Gate
to
Sou
rc
eVoltag
e-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F-
Di
ode
For
w
ar
dCu
rrent
-A
0.1
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
0 V
VGS = 10 V
Pulsed
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
trr
-Re
verse
R
ecov
ery
Time
-ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μs
VGS = 0 V
IF - Diode Forward Current - A
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PDF描述
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