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參數資料
| 型號： | 2SK3326 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關功率場效應晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2SK3326 |
Data Sheet D14204EJ1V0DS00
3
2SK3326
TYPICAL CHARACTERISTICS(T
A
= 25 °C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
40
60
100
120
140
160
20
40
60
80
100
T
c
- Case Temperature - C
d
0
20
80
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
20
40
60
80
100
120
140
160
T
c
- Case Temperature - C
P
T
0
50
40
30
20
10
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
100
10
0.1
10
100
1000
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
1
1
Powe DsspaionLmted
I
D (DC)
I
D (pulse)
100
μ
s
1ms
T
= 25 C
Single Pulse
PW=10
μ
s
R
=10V)
(a V
GS
100ms
Figure4. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
0
4
8
12
16
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
20
10
Pulsed
V
GS
= 20 V
10 V
8.0 V
V
GS
= 6.0 V
Figure5. DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
0
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
Pulsed
100
10
0.0001
0.001
I
D
0.01
0.1
1
5
10
15
T
A
= –25 C
25 C
75 C
125 C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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