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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3326 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | 2SK3326 |
Data Sheet D14204EJ1V0DS00
5
2SK3326
Figure11. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
3.0
2.0
1.0
0.0–50
0
50
100
150
V
GS
= 10 V
T
ch
- Channel Temperature - C
R
D
I
D
= 10 A
I
D
= 5.0 A
Figure12. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
10
1
0.5
0.1
1.5
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
Pulsed
1.0
0.0
0.01
100
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
Figure13. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
1000
10
100
1
100
1000
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
V
GS
= 0 V
f = 1.0 MHz
10
10000
C
iss
0.1
1
C
oss
C
i
,
o
,
r
C
rss
Figure14. SWITCHING CHARACTERISTICS
1000
100
10
t
d
,
r
,
d
,
f
0.1
100
I
D
- Drain Current - A
V
DD
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
t
f
t
d(off)
t
d(on)
1
10
1
t
r
Figure15. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
0
0.1
10
100
t
r
I
F
- Drain Current - A
di/dt = 50 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
1
100
500
600
700
800
900
1000
400
300
200
10
5
20
25
15
400
500
600
700
800
300
200
100
V
DS
V
GS
I
D
= 10 A
V
D
Q
G
- Gate Charge - nC
V
G
Figure16. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
14
12
10
8
6
4
2
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
0
0
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