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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3357 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2SK3357 |
Data Sheet D14134EJ2V0DS00
7
2SK3357
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
TO-3P (MP-88)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
15.7 MAX.
3.2±0.2
4
6
1
3
2
1
2.2±0.2
5.45
5.45
1.0±0.2
4
4.7 MAX.
1.5
7
2.8±0.1
0.6±0.1
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SK3358 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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