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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3507-ZK |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | PROFET™: Smart High Side Switches; Package: PG-TO252-5; Channels: 1.0; R<sub>ON</sub> @ Tj = 25°C : 12.0 mOhm; Recommended Operating Voltage Range: 5.5 - 20.0 V; IL(SC): 65.0 A; Diagnostic: Sense |
| 中文描述： | 開關(guān)N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | 2SK3507-ZK |
Data Sheet D15387EJ1V0DS
5
2SK3507
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
20
40
60
80
-50
0
50
100
150
I
D
= 11 A
Pulsed
V
GS
= 4.5 V
7 V
10 V
T
ch
- Channel Temperature - °C
C
i
,
o
,
r
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
10
100
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
I
D
- Drain Current - A
V
D
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
2
4
6
8
10
12
I
D
= 22 A
V
DS
= 24 V
15 V
6 V
V
DS
V
GS
Q
G
- Gate Charge - nC
V
G
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F
0.01
0.1
1
10
100
0
0.5
1
1.5
V
GS
= 10 V
0 V
Pulsed
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
t
r
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
I
F
- Diode Forward Current - A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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