參數(shù)資料
型號(hào): 2SK3546G
廠商: PANASONIC CORP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: 100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大小: 226K
代理商: 2SK3546G
2SK3546G
2
SJF00069AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Y
fs VGS
RDS(on) VGS
VIN IO
PD Ta
ID VDS
ID VGS
Ambient temperature T
a (°C)
Power
dissipation
P
D
(mW)
0
80
120
40
0
140
120
40
100
80
20
60
Drain-source voltage V
DS (V)
Drain
current
I
D
(mA)
70
60
50
40
30
20
10
0
2468
10
12
0
Ta
= 25°C
VGS
= 2.5 V
2.4 V
2.3 V
2.2 V
2.1 V
2.0 V
Gate-source voltage V
GS (V)
Drain
current
I
D
(mA)
250
200
150
100
50
0
1
234
6
5
0
VDS
= 3 V
Ta
= 25°C
25
°C
85
°C
Forward
transfer
admittance
Y
fs
(S)
Gate-source voltage V
GS (V)
0.16
0.12
0.08
0.04
0.02
0.14
0.10
0.06
0
1234
0
VDS
= 3 V
f
= 1 kHz
Ta
= 25°C
Drain-source
ON
resistance
R
DS(on)
(
)
Gate-source voltage V
GS (V)
06
24
ID
= 10 mA
0
60
50
40
30
20
10
Ta
= 85°C
25
°C
25°C
Output current
I
O (mA)
Input
voltage
V
IN
(V)
0.1
1
10
100
1
10
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3549-01 10 A, 900 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
2SK3562 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3568 12 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3570-ZK 48 A, 20 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
2SK3570-S 48 A, 20 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3546G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3546J0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK354700L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3547G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3549-01 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 900V;RDS(ON) 1.08 Ohms;ID +/-40A;TO-247;PD 270W;VGS +/-3