參數(shù)資料
型號： 2SK3669
元件分類： JFETs
英文描述： 10 A, 100 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, 2-7J1B, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 193K
代理商： 2SK3669
2SK3669
2009-12-21
5
Pulse width tw (s)
rth – tw
Normali
zed
tr
ansie
nt
thermal
impeda
nc
e
r th
(t)
/R
th
(ch-c)
Drain-source voltage VDS (V)
Safe operating area
Drain
curren
t
I D
(A)
A
valan
che
ene
rgy
E
AS
(mJ)
Channel temperature (initial) Tch (°C)
EAS – Tch
RG = 25 Ω
VDD = 50 V, L = 3.44 mH
=
VDD
BVDSS
AS
2
I
L
2
1
Ε
Waveform
IAR
BVDSS
VDD
VDS
Test circuit
15 V
300
240
180
120
60
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.3
1
3
100
300
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
100
0.1
10
30
* Single nonrepetitive pulse
Tc
= 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
VDSS max
100
μs*
1 ms*
10 ms*
ID max (pulsed)*
ID max (continuous)
0.1
0.01
10
μ
100
μ
3
1 m
10 m
100 m
1
10
0.003
Single pulse
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Duty
= 0.5
T
PDM
t
Duty
= t/T
Rth (ch-c) = 6.25°C/W
1
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