型號: | 2SK404E |
英文描述: | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
中文描述: | 晶體管|場效應(yīng)| N溝道| 20V的五(巴西)直| 2.5mA的我(直)| SPAK |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大小: | 485K |
代理商: | 2SK404E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK404F | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | SPAK |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK4058-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |