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參數(shù)資料
| 型號： | 2ST2121 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 17 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | 2ST2121 |
2ST2121
Revision history
7/8
4
Revision history
Table 5.
Document revision history
Date
Revision
Changes
11-Oct-2007
1
Initial release.
09-Dec-2007
2
Datasheet status changed from target specification to preliminary
data.
16-May-2008
3
Added new graphics.
11-Jul-2008
4
Updated maximum operating junction temperature value.
13-Nov-2008
5
Document status promoted from preliminary data to datasheet.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2STN1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2ST31A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low voltage NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST501T | 功能描述:達林頓晶體管 PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2ST5949 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST5949_0807 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STA1694 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High power PNP Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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