參數(shù)資料
型號: 3LP02N
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: P-Channel Silicon MOSFET for Ultrahigh-Speed Switching Applications(超高速轉換應用的P溝道硅MOSFET)
中文描述: 個P - MOSFET的超高通道硅高速開關應用(超高速轉換應用的P溝道硅MOSFET的)
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 41K
代理商: 3LP02N
No.6553-3/4
3LP02N
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
2.5
1.5
2.0
0.5
1.0
--9
--10
VGS -- Qg
VDS= --10V
ID= --200mA
--0.01
10
7
5
3
2
7
5
3
2
1000
100
2
3
5
7
2
3
SW Time -- ID
VDD= --15V
VGS= --4V
0
1.0
--5
10
7
5
3
2
7
5
3
2
--10
--15
100
--20
--30
--25
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--0.01
--0.1
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
IF -- VSD
VGS=0
T=5
°
C
2
°
C
-5
°
C
td(on)
tr
tf
td(off)
Ciss
Coss
Crss
IT00245
IT00246
IT00247
IT00248
0.01
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
--0.01
--0.1
5
3
2
7
5
3
2
y
fs
-- ID
VDS= --10V
--60
0
--40
1
--20
2
3
0
4
5
20
40
6
60
7
80
100
120
140
160
RDS(on) -- Ta
ID= -50mA, VGS= -2.5V
ID= --100mA, VGS= --4.0V
75
°
C
25
°
C
Ta= --25
°
C
IT00243
IT00244
1.0
--0.01
10
7
5
3
2
--0.1
5
3
2
3
2
RDS(on) -- ID
VGS= --2.5V
1.0
--0.001
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
--0.01
2
3
5
2
3
5
7
RDS(on) -- ID
VGS= --1.5V
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
IT00241
IT00242
F
Drain Current, I
D
– A
Ambient Temperature, Ta – C
S
O
D
S
O
D
Drain Current, I
D
– A
S
O
D
Drain Current, I
D
– A
F
F
Diode Forward Voltage, V
SD
– V
S
Drain Current, I
D
– A
C
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
G
G
Total Gate Charge, Qg – nC
相關PDF資料
PDF描述
3LP02SP P-Channel Silicon MOSFET(Ultrahigh-Speed Switching Applications)(超高速轉換應用的P溝道硅MOSFET)
3LP03M 3LP03M
3LP03SS P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
3LP04MH P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
3MBI150U-120 IGBT Module U-Series 1200V / 150A 3 in one-package
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
3LP02N-AA 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETP CH50V0.14ATO-92
3LP02SP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
3LP03M 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:3LP03M
3LP03M-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 30V 0.25A SOT89
3LP03SS 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device