參數(shù)資料
型號： HAT2198R
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： HAT2198R
HAT2198R
Rev.2.00, Oct.18.2004, page 3 of 7
Main Characteristics
C
Ambient Temperature Ta (°C)
Power vs. Temperature Derating
4.0
3.0
2.0
1.0
0
50
100
150
200
Test Condition :
When using the glass epoxy board
(FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW < 10 s
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Note 5 :
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm)
D
D
Maximum Safe Operation Area
100
10
1
0.1
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
500
Ta = 25
°
C
1 shot Pulse
10
μ
s
100
μ
s
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Note 5
1 ms
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Typical Output Characteristics
20
16
12
8
4
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 2.4 V
10 V
3 V
Pulse Test
2.6 V
Gate to Source Voltage
V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
20
16
12
8
4
0
1
2
3
4
5
Tc = 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
Gate to Source Voltage
V
GS
(V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
300
240
180
120
60
0
4
8
12
16
20
Pulse Test
I
D
= 20 A
5 A
10 A
Drain Current I
D
(A)
D
V
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
100
Pulse Test
20
10
2
5
1
1
10
100
1000
50
V = 4.5 V
10 V
2.8 V
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