參數(shù)資料
型號： HAT2198R
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應管電源開關
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 125K
代理商： HAT2198R
HAT2198R
Rev.2.00, Oct.18.2004, page 4 of 7
Crss
Case Temperature Tc (
°
C)
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
20
Pulse Test
16
12
8
4
-25
0
50
25
100
75
125 150
0
R
D
)
I
D
= 5 A, 10 A
5 A, 10 A, 20 A
V
GS
= 4.5 V
10 V
F
Drain Current I
D
(A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
3
30
0.1
1
10
100
0.3
10
100
1000
1
Tc = –25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
75
°
C
25
°
C
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
1
10
100
100
20
50
10
0.1
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0, Ta = 25
°
C
C
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
10
5
15
20
25
30
10000
3000
1000
300
100
30
10
V
GS
= 0
f = 1 MHz
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
50
40
30
20
10
0
20
16
12
8
4
8
16
24
32
40
0
I
D
= 14 A
V
DD
= 25 V
10 V
5 V
V
DD
= 25 V
10 V
5 V
Drain Current I
D
(A)
S
Switching Characteristics
100
10
1
1
10
0.1
100
1000
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
Rg = 4.7
, duty < 1 %
d(on)
t
d(off)
t
r
tf
Ciss
20 A
V
DS
V
GS
Coss
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PDF描述
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