參數(shù)資料
型號： 4N35-X006
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： 電容
英文描述： Tantalum Chip Capacitor
中文描述： 鉭芯片電容器
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： 4N35-X006
www.vishay.com
4
Document Number 83717
Rev. 1.5, 27-Jan-05
4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
Vishay Semiconductors
Current Transfer Ratio
1) Indicates JEDEC registered value
Switching Characteristics
1) Indicates JEDEC registered value
Typical Characteristics (Tamb = 25
°C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
DC Current Transfer Ratio1)
VCE = 10 V, IF = 10 mA
4N35
CTRDC
100
%
4N36
CTRDC
100
%
4N37
CTRDC
100
%
VCE = 10 V, IF = 20 mA
4N38
CTRDC
20
%
VCE = 10 V, IF = 10 mA,
TA = - 55 to + 100 °C
4N35
CTRDC
40
50
%
4N36
CTRDC
40
50
%
4N37
CTRDC
40
50
%
4N38
CTRDC
30
%
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Switching time1)
IC = 2 mA, RL = 100 , VCC = 10 V
ton, toff
10
s
Figure 1. Forward Voltage vs. Forward Current
i4n25_01
100
10
1
.1
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
IF - Forward Current - mA
V
F
-
F
orward
Voltage
-
V
TA =–55°C
TA =25°C
TA =85°C
Figure 2. Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs. LED
Current
i4n25_02
Normalized to:
0.0
0.5
1.0
1.5
0
1
10
100
IF - LED Current - mA
NCTR
NCTR(SAT)
NCTR
-
Normlized
CTR
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
TA=25°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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4N35-X007T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35-X009 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35-X009T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35-X016 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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