參數(shù)資料
型號： 4N35-X009
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： 電容
英文描述： Tantalum Chip Capacitor
中文描述： 鉭芯片電容器
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： 4N35-X009
www.vishay.com
6
Document Number 83717
Rev. 1.5, 27-Jan-05
4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
Vishay Semiconductors
Figure 9. Normalized Photocurrent vs. IF and Temp.
Figure 10. Normalized Non-saturated HFE vs. Base Current and
Temperature
Figure 11. Normalized HFE vs. Base Current and Temp.
i4n25_09
0.
Normalized to:
0.01
1
10
IF - LED Current - mA
Normalized
Photocurrent
.1
1
10
100
IF=10 mA, TA=25°C
Nib, TA=–20°C
Nib, TA= 25°C
Nib, TA= 50°C
Nib, TA= 70°C
i4n25_10
0.4
0.6
1.0
1.2
Normalized to:
Ib - Base Current -
A
110
100
1000
Ib=20
A, Vce=10 V, TA=25°C
25°C
70°C
–20°C
NHFE
-
Normalized
HFE
0.8
i4n25_11
0.0
0.5
1.0
1.5
25°C
–20°C
50°C
70°C
NHFE(sat)
-
Normalized
Saturated
HFE
1
10
100
1000
Vce=10 V, Ib=20
A
TA=25°C
Vce=0.4 V
Ib - Base Current -
A
Normalized to:
Figure 12. Propagation Delay vs. Collector Load Resistor
Figure 13. Switching Timing
Figure 14. Switching Schematic
i4n25_12
1
10
100
1000
RL - Collector Load Resistor - k
t PLH
-
P
ropagation
Delay
-
s
2.5
2.0
1.5
1.0
.1
1
10
100
IF =10 mA,TA=25°C
VCC=5.0 V, Vth=1.5 V
tPLH
tPHL
t PHL
-
P
ropagation
Delay
-
s
i4n25_13
IF
tR
=1.5 V
VO
tD
tS
tF
tPHL
tPLH
VTH
i4n25_14
VCC =5.0 V
F=10 KHz,
DF=50%
RL
VO
IF=1 0 mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
4N35-X009T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35-X016 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35-X017 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35-X017T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35-X019T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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