參數(shù)資料
型號： 6MBI75S-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT(1200V/75A)
中文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-21
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大?。?/td> 448K
代理商： 6MBI75S-120
H04-004-03
13
MS5F 5497
10
+VGE=15V,-VGE
≦
15V, RG
≧
9.1
,Tj
≦
125
℃
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=9.1
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=75A, VGE=±15V, Tj= 125
℃
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=9.1
, Tj= 25
℃
Vcc=600V, Ic=75A, VGE=±15V, Tj= 25
℃
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=9.1
, Tj=125
℃
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Reverse bias safe operating area (max.)
10
100
1000
10000
0
50
100
150
S
Collector current : Ic [ A ]
ton
toff
tr
tf
10
100
1000
10000
0
50
100
150
S
Collector current : Ic [ A ]
toff
ton
tr
tf
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
S
Gate resistance : Rg [
]
tr
tf
toff
ton
0
5
10
15
0
25
50
75
100
125
150
S
Collector current : Ic [ A ]
Eon(125
℃
)
Eon(25
℃
)
Eoff(125
℃
)
Err(125
℃
)
Err(25
℃
)
Eoff(25
℃
)
0
25
50
75
1
10
100
1000
S
Gate resistance : Rg [
]
Eoff
Err
Eon
0
50
100
150
200
0
400
800
1200
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
6MBI75S-140 IGBT Module
6MBP100RA120 IGBT(1200V/100A)
6MBP100RA060 IGBT-IPM
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參數(shù)描述
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