參數(shù)資料
型號: 6MBI75S-120
廠商: FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT(1200V/75A)
中文描述: 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-21
文件頁數(shù): 12/13頁
文件大小: 448K
代理商: 6MBI75S-120
H04-004-03
13
MS5F 5497
12
Warnings
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This product shall be used within its absolute maximum rating (voltage, current, and temperature).
This product may be broken in case of using beyond the ratings.
製品の絶対最大定格(電圧,電流,溫度等)の範囲內で御使用下さい。
絶対最大定格を超えて使用すると、素子が破壊する場合があります。
-
Connect adequate fuse or protector of circuit between three-phase line and
this product to prevent the equipment from causing secondary destruction.
萬一の不慮の事故で素子が破壊した場合を考慮し、商用電源と本製品の間に適切な容量のヒューズ
又はブレーカーを必ず付けて2次破壊を防いでください。
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Use this product after realizing enough working on environment and considering of product's reliability life.
This product may be broken before target life of the system in case of using beyond the product's reliability life.
製品の使用環(huán)境を十分に把握し、製品の信頼性壽命が満足できるか検討の上、本製品を適用して下さい。
製品の信頼性壽命を超えて使用した場合、裝置の目標壽命より前に素子が破壊する場合があります。
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If the product had been used in the environment with acid, organic matter, and corrosive gas ( hydrogen sulfide,
sulfurous acid gas), the product's performance and appearance can not be ensured easily.
酸有機物腐食性ガス(硫化水素,亜硫酸ガス等)を含む環(huán)境下で使用された場合、製品機能外観などの保証は
致しかねます。
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Use this product within the power cycle curve (Technical Rep.No. : MT5F12959)
本製品は、パワーサイクル壽命カーブ以下で使用下さい
(
技術資料
No.: MT5F
1
2959)
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Never add mechanical stress to deform the main or control terminal.
The deformed terminal may cause poor contact problem.
主端子及び制御端子に応力を與えて変形させないで下さい?!《俗婴螇湫韦摔瑜?、接觸不良などを引き起こす場合
があります。
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Use this product with keeping the cooling fin's flatness between screw holes within 100um at 100mm and the
roughness within 10um. Also keep the tightening torque within the limits of this specification.
Improper handling may cause isolation breakdown and this may lead to a critical accident.
冷卻フィンはネジ取り付け位置間で平坦度を
100mm
100um
以下、表面の粗さは
10um
以下にして下さい。 誤った取り扱
いをすると絶縁破壊を起こし、重大事故に発展する場合があります。
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It shall be confirmed that IGBT's operating locus of the turn-off voltage and current are within the RBSOA
specification. This product may be broken if the locus is out of the RBSOA.
ターンオフ電圧電流の動作軌跡が
RBSOA
仕様內にあることを確認して下さい。
RBSOA
の範囲を超えて使用すると素子が破壊する可能性があります。
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If excessive static electricity is applied to the control terminals, the devices may be broken.
Implement some countermeasures against static electricity.
制御端子に過大な靜電気が印加された場合、素子が破壊する場合があります。
取り扱い時は靜電気対策を実施して下さい。
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Never add the excessive mechanical stress to the main or control terminals
when the product is applied to equipments. The module structure may be broken.
素子を裝置に実裝する際に、主端子や制御端子に過大な応力を與えないで下さい。
端子構造が破壊する可能性があります。
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In case of insufficient -VGE, erroneous turn-on of IGBT may occur.
-VGE shall be set enough value to prevent this malfunction. (Recommended value : -VGE = -15V)
逆バイアスゲート電圧
-VGE
が不足しますと誤點弧を起こす可能性があります。
誤點弧を起こさない為に
-VGE
は十分な値で設定して下さい。?。ㄍ茒X値
: -VGE = -
1
5V)
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In case of higher turn-on dv/dt of IGBT, erroneous turn-on of opposite arm IGBT may occur.
Use this product in the most suitable drive conditions, such as +VGE, -VGE, RG to prevent the malfunction.
ターンオン
dv/dt
が高いと対抗アームのIGBTが誤點弧を起こす可能性があります。
誤點弧を起こさない為の最適なドライブ條件(
+VGE, -VGE, RG
等)でご使用下さい。
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This product may be broken by avalanche in case of VCE beyond maximum rating VCES is applied between
C-E terminals. Use this product within its absolute maximum voltage.
VCES
を超えた電圧が印加された場合、アバランシェを起こして素子破壊する場合があります。
VCE
は必ず絶対定格の範囲內でご使用下さい。
相關PDF資料
PDF描述
6MBI75S-140 IGBT Module
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6MBP100RA060 IGBT-IPM
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參數(shù)描述
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