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AON4407L

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • AON4407L
    AON4407L

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  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳先生

    電話：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專

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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全稱
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4407L 技術(shù)參數(shù)
  • AON4407_003 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標準包裝:1 AON4407 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x2） 標準包裝:1 AON3820 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 24V 8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.9 毫歐 @ 8A, 4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1325pF @ 12V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標準包裝:3,000 AON3818 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 8A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13.5 毫歐 @ 8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:840pF @ 12V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（2.9x2.3） 標準包裝:3,000 AON3816_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 4A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標準包裝:1 AON4705L AON4803 AON4807 AON4807_001 AON4807_101 AON5802A AON5802ALS AON5802B AON5802B_101 AON5810 AON5816 AON5820 AON5820_101 AON6144 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160
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