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APT65GP60JRDQ2

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  • APT65GP60JRDQ2
    APT65GP60JRDQ2

    APT65GP60JRDQ2

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:陳先生13360533550

    電話:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6343

  • IGBT

  • MODULE

  • 22+

  • -
  • 原廠原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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APT65GP60JRDQ2 技術(shù)參數(shù)
  • APT65GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:431W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.7V @ 15V,65A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):7.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT65GP60B2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):250A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.7V @ 15V,65A 功率 - 最大值:833W 開關(guān)能量:605μJ(開),896μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:30ns/91ns 測試條件:400V,65A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT64GA90LD30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.1V @ 15V,38A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:1192μJ(開),1088μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:162nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:18ns/131ns 測試條件:600V,38A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT64GA90B2D30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.1V @ 15V,38A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:1192μJ(開),1088μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:162nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:18ns/131ns 測試條件:600V,38A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT64GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.1V @ 15V,38A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:1857μJ(開),2311μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:162nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:18ns/131ns 測試條件:600V,38A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L
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