APT70SM70B

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT70SM70B
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
Microsemi/美高森美
TO-247
22+
-
十年配單，只做原裝

APT70SM70B
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-247
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APT70SM70B
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4444
INFINEON
TO-247
2206+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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您是不是要找： APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2

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功能描述
POWER MOSFET - SIC
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源極電壓（Vdss）
700V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
65A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
70 毫歐 @ 32.5A，20V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
125nC @ 20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
-
功率 - 最大值
300W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-247 [B]
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

APT70SM70B 技術(shù)參數(shù)

APT70GR65B2SCD30 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:* 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關(guān)能量:* 輸入類型:* 柵極電荷:305nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:19ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR65B2DU40 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:305nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:18ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關(guān)能量:1.51mJ（開），1.46mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:305nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:19ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 功率 - 最大值:961W 開關(guān)能量:3.82mJ（開），2.58mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:544nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:33ns/278ns 測試條件:600V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7.26nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6